Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PTFA191001E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA191001E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA191001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA191001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192401E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192401E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192401F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192401F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210601E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210601E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210601F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210601F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210701E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210701E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210701F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210701F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212001E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 42 43 444546 47 48 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте