| Войти Регистрация |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| PTFA041501HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA041501HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA043002E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 800MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.55A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 100Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA080551E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA080551E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA080551E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA080551F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA080551F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA080551F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA081501E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W H-30248-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA081501F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA082201E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA082201E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA082201E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA082201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA082201F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA082201F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA091201E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA091201E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA091201F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA091201F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA091201GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA091201HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA091201HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |