Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRFG35020AR5Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.5GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Ток - тестовый: 300mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: NI-360
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFG35020AR1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.5GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Ток - тестовый: 300mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: NI-360
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFG35002N6R5Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 65mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 1.5Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20S-45,112BLF6G20S-45,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 19.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 360mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2.5Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-180PN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT539A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: 5-LDMOST
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-200RN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-135RN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22-180RN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-160RN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 22.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 39A  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 32Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-45,112BLF6G20-45,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR BASESTATION SOT-608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 19.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 360mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2.5Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22LS-130,112BLF6G22LS-130,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR BASE STATION SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 34A  ·  Ток - тестовый: 1.1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G27LS-75,112NXP SemiconductorsTRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G27LS-75,118NXP SemiconductorsTRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G27LS-135,118NXP SemiconductorsTRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 34A  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G27-75,112NXP SemiconductorsTRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G38-100,112NXP SemiconductorsTRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 34A  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN4416_D27ZPN4416_D27ZFairchild SemiconductorTRANS TR NPN TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 400MHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLS6G2731-6G,112NXP SemiconductorsTRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 60V  ·  Номинал тока: 3.5A  ·  Ток - тестовый: 25mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 6W  ·  Корпус: 3-LDMOST, SOT957C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLS6G2731S-120,112NXP SemiconductorsTRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 60V  ·  Номинал тока: 33A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLS6G2731-120,112NXP SemiconductorsTRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 60V  ·  Номинал тока: 33A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD54008TR-ESTMicroelectronicsTRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 7.5V  ·  P1dB: 8Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD20015-EPD20015-ESTMicroelectronicsTRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STAC3932BSTAC3932BSTMicroelectronicsTRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 123MHz  ·  Номинальное напряжение: 250V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 100V  ·  P1dB: 580W
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STAC2942BSTAC2942BSTMicroelectronicsTRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Номинальное напряжение: 130V  ·  Номинал тока: 40A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 450Вт
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STAC2932BSTAC2932BSTMicroelectronicsTRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 40A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 390W
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте