Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

BLF6G10-160RN,112 — TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 922.5MHz  •  Усиление: 22.5dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 39A  •  Ток - тестовый: 1.2A  •  Напряжение - тестовое: 32V  •  P1dB: 32Вт  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Архив документации

   






Производители
Города
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «BLF6G10-160RN,112»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
Радуга ОООBLF6G10-160RN,112
1 неделя; yпаковка: этикетка есть 1234
Philipsопт: 5500 р.
ДЕКТЕЛ ЭЛЕКТРОНИКССвежие данные!BLF6G10-160RN,112
мин. заказ: : 1
Philipsопт: 55$
ООО "ЕВРОМАШ ЭК"BLF6G10-160RN,112 1428, 7-10 дней
BLF6G10-160RN,112 2823, 7-10 дней
АО "Контест"BLF6G10-160RN,112
TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Подробнее
NXP Semiconductors
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯBLF6G10-160RN,112
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
Ampleon USA Inc.
BLF6G10-160RN,112
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
Ampleon USA Inc.
ONLINECHIP.RUBLF6G10-160RN,112
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
Ampleon USA Inc.
BLF6G10-160RN,112
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
Ampleon USA Inc.
АбтрониксBLF6G10-160RN,112
RF MOSFET Transistors Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin. Подробнее
от 3-4 недель
BLF6G10-160RN.112
Подробнее
от 3-4 недель
БиЭйч-СистемсBLF6G10-160RN,112
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A 3771; мин. заказ: : 1 шт.
Ampleon 3007, 1-2 недели
ООО "ДМ-Электроникс"BLF6G10-160RN,112
TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 32Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A Подробнее
NXP Semiconductors
ООО "Интегральные схемы"BLF6G10-160RN,112 1944, 7-10 дней
BLF6G10-160RN,112 2236, 7-10 дней
СИТЭЛBLF6G10-160RN,112
TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 32Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A Подробнее
NXP Semiconductors
ПромрэкBLF6G10-160RN,112
Description : TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Подробнее PDF
Ampleon USA Inc.


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
ONLINECHIP.RUМосква(499) 346-83-160  0 Скрыть
Санкт-Петербург(499) 346-83-16
Краснодар(499) 346-83-16
АбтрониксМосква(495) 221-8668, Факс: (495) 221-86689  12 Скрыть
АО "Контест"Москва(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-736  27 Скрыть
Воронеж(473) 239-22-32
БиЭйч-СистемсМосква(499) 382-28-170  0 Скрыть
ДЕКТЕЛ ЭЛЕКТРОНИКСМосква(495) 610-65-91, 610-88-630  0 Скрыть
ООО "ДМ-Электроникс"Мытищи(499) 44412060  0 Скрыть
ООО "ЕВРОМАШ ЭК"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
ПромрэкСанкт-Петербург(812) 384-69-080  0 Скрыть
Радуга ООО(499) 341 67 840  0 Скрыть
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯСанкт-Петербург(812) 409-49-130  1 Скрыть
Москва(499) 322-80-72
СИТЭЛ(495) 225-76-290  0 Скрыть
«BLF6G10-160RN,112» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 1862 отечественных и 441 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать