Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BLA1011S-200,112BLA1011S-200,112NXP SemiconductorsTRANS LDMOS NCH 75V SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.03GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 75V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 36V  ·  P1dB: 200Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLS6G2731-120,112NXP SemiconductorsTRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 60V  ·  Номинал тока: 33A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLS6G2731S-120,112NXP SemiconductorsTRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 60V  ·  Номинал тока: 33A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP11KHR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V NI-1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 130MHz  ·  Усиление: 26dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP11KHR6Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 1000W NI1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 130MHz  ·  Усиление: 26dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V10250HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH NI780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.09Ghz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 100V  ·  Номинал тока: 2mA  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 250Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CGH40025FCGH40025FCree IncTRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG
Тип транзистора: HEMT  ·  Частота: 3.7GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 84V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: 440166
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V12250HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.03GHz  ·  Усиление: 20.3dB  ·  Номинальное напряжение: 100V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 275Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V12250HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.03GHz  ·  Усиление: 20.3dB  ·  Номинальное напряжение: 100V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 275Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V10250HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH NI780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.09Ghz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 100V  ·  Номинал тока: 2mA  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 250Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF19090SR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 90Вт  ·  Корпус: NI-880S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLS6G3135-20,112NXP SemiconductorsTRANS LDMOS 3.5GHZ SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 60V  ·  Номинал тока: 2.1A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V12250HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.03GHz  ·  Усиление: 20.3dB  ·  Номинальное напряжение: 100V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 275Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V12250HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.03GHz  ·  Усиление: 20.3dB  ·  Номинальное напряжение: 100V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 275Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S35120HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 120W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 3.1GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF157FLVRF157FLMicrosemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 60A  ·  Ток - тестовый: 800mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 600W
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S35120HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 120W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 3.1GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF154FLVRF154FLMicrosemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 60A  ·  Ток - тестовый: 800mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 600W
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP2600HR6Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 600W NI1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 25dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 2.6A  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 125Вт  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP2600HR5MRF6VP2600HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V NI-1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 25dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 2.6A  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 125Вт  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9180R6Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-1230
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 170Вт  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9180R5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-1230
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 170Вт  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF872,112BLF872,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT800
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 860MHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.2µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: 4-LDMOST
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF346,112BLF346,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT119A
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 224.25MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 3A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: SOT-119A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF548,112BLF548,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT262A2
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 160A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: SOT-262A2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте