Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BLA1011S-200,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 200Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS6G2731-120,112 | NXP Semiconductors | TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS6G2731S-120,112 | NXP Semiconductors | TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP11KHR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 130MHz · Усиление: 26dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP11KHR6 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 130MHz · Усиление: 26dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V10250HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH NI780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.09Ghz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 2mA · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 250Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CGH40025F | Cree Inc | TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 3.7GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: 440166 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V12250HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20.3dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 275Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V12250HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20.3dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 275Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V10250HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH NI780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.09Ghz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 2mA · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 250Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF19090SR3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 90Вт · Корпус: NI-880S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS6G3135-20,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 2.1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 20Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V12250HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20.3dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 275Вт · Корпус: NI-780 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6V12250HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20.3dB · Номинальное напряжение: 100V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 275Вт · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S35120HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 3.1GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF157FL | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 60A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 600W | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF7S35120HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 3.1GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: NI-780S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF154FL | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 60A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 600W | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP2600HR6 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 2.6A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP2600HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 2.6A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-1230 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF9180R6 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 170Вт · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF9180R5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 170Вт · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF872,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT800 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: 4-LDMOST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF346,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT119A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 224.25MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-119A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF548,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A2 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 500MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 160A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-262A2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |