Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BLF4G22S-100,112	NXP Semiconductors	BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF4G22LS-130,112	NXP Semiconductors	BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF4G20-110B,112	NXP Semiconductors	BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF4G20LS-130,112	NXP Semiconductors	BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF4G20S-110B,112	NXP Semiconductors	BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF4G20LS-110B,112	NXP Semiconductors	BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.4dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE25139-T1-U73	NEC	FET 900 MHZ SOT-143 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE25139-T1	NEC	FET 900 MHZ SOT-143 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE25118	NEC	FET 900MHZ SOT-343 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE25118-T1	NEC	FET 900MHZ SOT-343 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ARF460AG	Microsemi-PPG	FET RF N-CH 500V 14A TO247 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 40.68MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 500В · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 50mA	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ARF460BG	Microsemi-PPG	FET RF N-CH 500V 14A TO247 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 40.68MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 500В · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 50mA	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE350184C	NEC	HJ-FET 20GHZ MICRO-X Тип транзистора: HFET · Частота: 20GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.7dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: Micro-X ceramic (84C)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE34018-T1	NEC	HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE651R479A-A	NEC	HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 27dBm · Корпус: 79A		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE6510179A-T1-A	NEC	HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.8A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 32.5dBm · Корпус: 79A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE651R479A-T1-A	NEC	HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 27dBm · Корпус: 79A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE6510179A-A	NEC	HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.8A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 32.5dBm · Корпус: 79A		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE3514S02-A	NEC	HJ-FET NCH 10DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 20GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.75dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE3514S02-T1D-A	NEC	HJ-FET NCH 10DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 20GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.75dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE3514S02-T1C-A	NEC	HJ-FET NCH 10DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 20GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.75dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE3512S02-T1D-A	NEC	HJ-FET NCH 13.5DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.35dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE3512S02-A	NEC	HJ-FET NCH 13.5DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.35dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE3512S02-T1C-A	NEC	HJ-FET NCH 13.5DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.35dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE3511S02-A	NEC	HJ-FET NCH 13.5DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая123 4 5 6 7 8 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте