Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PTFA210701E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 70W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 18W
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA210701F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 70W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 18W
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF140451F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-31265
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.5GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-75,118BLF6G20LS-75,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S19100HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.9dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21100HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S19100HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.9dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21100HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S21110HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 33W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 17.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S21110HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 33W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 17.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S23100HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.3GHz  ·  Усиление: 15.4dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S23100HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.3GHz  ·  Усиление: 15.4dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V2300NR1MRF6V2300NR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 220MHz  ·  Усиление: 25.5dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V2300NBR1MRF6V2300NBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 220MHz  ·  Усиление: 25.5dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S9130HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.2dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21090HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 850mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 19Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21090HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 850mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 19Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21090HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 850mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 19Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21090HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 850mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 19Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF2045,112BLF2045,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT467C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 4.5A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-230PNXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5µA  ·  Ток - тестовый: 2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9085LR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.9dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 105Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9085LR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.9dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 105Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLA1011-2,112BLA1011-2,112NXP SemiconductorsTRANS LDMOS NCH 75V SOT538A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 75V  ·  Номинал тока: 2.2A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 36V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: SOT-538A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9080LR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 75Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 13141516171819 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте