Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MRF6V2010GNR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6V2010NBR1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 220MHz · Усиление: 23.9dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 30mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-272-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S9045NR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 22.7dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S9045NBR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 22.7dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-272-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57018S	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85025-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55025S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 25Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85025S-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S20010NR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.17GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 130mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S20010GNR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO2704 GW Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.17GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 130mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 Gull Wing	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005MR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005NR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55025STR-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 25Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85025TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85025STR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55025TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 25Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57018S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF9030NR1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 945MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 30Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF9030GNR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH TO-270-2 GW Тип транзистора: N-Channel · Корпус: TO-270-2 Gull Wing	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55015TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55035-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 16.9dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 35Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57018-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55025	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 25Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55035S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 16.9dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 35Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85035S-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 12 13 141516 17 18 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте