Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE3503M04-T2-A	NEC	AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.45dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE3503M04-A	NEC	AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.45dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE350184C	NEC	HJ-FET 20GHZ MICRO-X Тип транзистора: HFET · Частота: 20GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.7dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: Micro-X ceramic (84C)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE34018-T1-A	NEC	AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE34018-T1-64-A	NEC	AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE34018-T1	NEC	HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE34018-A	NEC	AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE34018-64-A	NEC	AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE25139-T1-U73	NEC	FET 900 MHZ SOT-143 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE25139-T1	NEC	FET 900 MHZ SOT-143 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE25118-T1	NEC	FET 900MHZ SOT-343 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE25118	NEC	FET 900MHZ SOT-343 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S010NR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S010MR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S010GNR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 Gull Wing	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S010GMR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 Gull Wing		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S004NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.96GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 4Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35030R5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 30Вт · Корпус: HF-600		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35020AR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.5GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-360	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35020AR1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.5GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-360	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010R5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010R1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010NR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 10 11 121314 15 16 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте