Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 
MRFG35010NR5

MRFG35010NR5 — TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораpHEMT FET
Частота3.55GHz
Усиление10dB
Номинальное напряжение15V
Номинал тока2.9A
Ток - тестовый180mA
Напряжение - тестовое12В
P1dB9Вт
КорпусPLD-1.5
Встречается под наим.MRFG35010NR5TR
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRFG35010NT1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35010MT1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRFG35010ANT1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 130mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRFG35010NR5» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте