 | IRF5810TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | | Доп. информация
Искать в поставщиках |
| IRF5810 | International Rectifier | DIODE MOSFET PCH-20V -2.9A 6TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | | Доп. информация
Искать в поставщиках |
RoHS 
Без свинца