Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 3 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 18 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 6 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-SSOT, SuperSOT-3  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW