Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель




Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)


















































Напряжение (Vdss)




Ток нагрузки (макс)




Полярность


Напряжение пробоя (V(BR)GSS)




Напряжение отсечки (VGS off) @ Id



















































Емкость @ Vds





























Сопротивление - RDS (On)



















Тип монтажа

Корпус













Мощность макcимальная












 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MMBF5462MMBF5462Fairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5460_D27ZFairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5461Fairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5460_D74ZFairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5460Fairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5462_D27ZFairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5461_D26ZFairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5462Fairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5461_D74ZFairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5460_D75ZFairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5462G2N5462GON SemiconductorIC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5461RLRA2N5461RLRAON SemiconductorIC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N54622N5462ON SemiconductorIC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5461RLRAG2N5461RLRAGON SemiconductorIC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR57BSR57Fairchild SemiconductorIC AMP N-CHAN 40V 20MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 0.5nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR56BSR56Fairchild SemiconductorIC AMP N-CHAN 40V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR58BSR58Fairchild SemiconductorIC AMP N-CHAN 40V 8MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF247ABF247AFairchild SemiconductorIC AMP RF N-CH 25V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF246BBF246BFairchild SemiconductorIC AMP RF N-CH 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 10nA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF246ABF246AFairchild SemiconductorIC AMP RF N-CH 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJX597JBTFFJX597JBTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Мощность макcимальная: 100mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJX597JCTFFJX597JCTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Мощность макcимальная: 100mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJX597JHTFFJX597JHTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Мощность макcимальная: 100mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJZ594JTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-623F  ·  Мощность макcимальная: 100mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJZ594JBTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-623F  ·  Мощность макcимальная: 100mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 13  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте