Дискретные полупроводники · Диоды Зеннера (одиночные)

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение Зенера номинальное	6.8V
Прямое напряжение	900mV @ 10mA
Обратный ток утечки	2µA @ 4V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Мощность макcимальная	500мВт
Полное сопротивление (импеданс)	15 Ohm
Тип монтажа	Through Hole, Axial
Корпус	DO-35, Axial
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C
Встречается под наим.	BZX79-C6V8 AMO, BZX79-C6V8 AMO-ND

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BZX79-C6V8,113	NXP Semiconductors	DIODE ZENER 6.8V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.8V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов