Дискретные полупроводники · Диоды Зеннера (одиночные)

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение Зенера номинальное	68V
Прямое напряжение	900mV @ 10mA
Обратный ток утечки	50nA @ 47.6V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Мощность макcимальная	400мВт
Полное сопротивление (импеданс)	240 Ohm
Тип монтажа	Through Hole, Axial
Корпус	DO-35, Axial
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BZX79-C68,133	NXP Semiconductors	DIODE VREG 68V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 68V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 47.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 240 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов