Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Диоды Зеннера (одиночные)

Производитель












Серия

Напряжение Зенера номинальное

















































































Прямое напряжение

















Обратный ток утечки




























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Допустимые отклонения емкости




































Мощность макcимальная

























Полное сопротивление (импеданс)


























































































































































Тип монтажа


Корпус



























































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
1N4731A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.3V 217MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 4.3V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 9 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX84-A4V3,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.3V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 4.3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-C4V3,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.3V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 4.3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B4V3,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.3V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 4.3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZV85-C4V7,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.7V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 4.7V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 13 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
1N4732A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.7V 193MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 4.7V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX84-A4V7,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.7V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 4.7V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-C4V7,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.7V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 4.7V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B4V7,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.7V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 4.7V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZV85-C43,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 43V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 43V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 30V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 75 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX84-A43,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 43V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 43V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 30.1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-C43,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 43V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 43V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 30.1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B43,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 43V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 43V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 30.1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZV85-C47,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 47V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 47V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 33V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B47,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 47V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 47V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 32.9V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 170 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-C47,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 47V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 47V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 32.9V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 170 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B47,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 47V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 47V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 32.9V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 170 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZV85-C5V1,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.1V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 5.1V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
1N4733A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.1V 178MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 5.1V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX84-A5V1,235NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.1V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 5.1V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX84-A5V1,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.1V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 5.1V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B5V1,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.1V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 5.1V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-C5V1,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.1V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 5.1V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZV85-C5V6,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.6V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 5.6V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
1N4734A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.6V 162MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 5.6V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 5 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 304  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте