 |
1N5235BTR — DIODE ZENER 6.8V 500MW DO-35
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | 1N5235B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.8V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 1N5235B | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.8V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 1N5235B_T50A | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.8V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца