Дискретные полупроводники · Диоды Зеннера (одиночные)

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение Зенера номинальное	3.3V
Прямое напряжение	1.2V @ 200mA
Обратный ток утечки	25µA @ 1V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Мощность макcимальная	500мВт
Полное сопротивление (импеданс)	28 Ohm
Тип монтажа	Through Hole, Axial
Корпус	DO-35, DO-204AH, Axial
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C
Встречается под наим.	1N5226BFSDKR

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	1N5226B_T50R	Fairchild Semiconductor	DIODE ZENER 3.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 25µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 28 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	1N5226B	Fairchild Semiconductor	DIODE ZENER 3.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 25µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 28 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов