Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
ZXTS1000NE6TA

- Дополнительное фото

ZXTS1000NE6TA — TRANS PNP SW LOW SAT SOT23-6

ПроизводительDiodes/Zetex
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)12В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic40mV @ 10mA, 100mA
Ток коллектора (макс)1.25A
Ток отсечки коллетора (vfrc)10nA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce300 @ 10mA, 2V
Мощность макcимальная725mW
Модуляция частот220MHz
Тип транзистораPNP + Diode (Isolated)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-23-6
Встречается под наим.ZXTS1000NE6TACT
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZXTS1000E6TCZXTS1000E6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR/SCHOTTKY PNP SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 725mW  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
ZXTS1000E6TAZXTS1000E6TADiodes/ZetexTRANS PNP/DIODE SCHOTTKY SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 725mW  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «ZXTS1000NE6TA» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте