ZXTP2012GTA | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 3Вт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	ZX5T951GTA	Diodes/Zetex	TRANS PNP 60V LOW SAT SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 3Вт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

ZXTP2012GTA — TRANS PNP LO SAT 60V 5.5A SOT223

Схожие по характеристикам