ZXTN2010A | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 130MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 55mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 130MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	ZXTN2010ASTZ	Diodes/Zetex	TRANS NPN LO SAT 60V 4.5A TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 130MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	ZX5T851A	Diodes/Zetex	TRANSISTOR NPN 60V 4500MA TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 55mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 130MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	ZXTN2010ASTOA	Diodes/Zetex	TRANSISTOR NPN 60V TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 55mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 130MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	ZX5T851ASTZ	Diodes/Zetex	TRANSISTOR NPN 60V MED TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 55mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 130MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

ZXTN2010A — TRANS NPN LO SAT 60V 4.5A TO92-3

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам