Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
 
ZXT13P12DE6TA

- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

ZXT13P12DE6TA — TRANS PNP LOSAT -12V -4A SOT23-6

ПроизводительDiodes/Zetex
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)12В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic90mV @ 10mA, 1A
Ток коллектора (макс)4A
Ток отсечки коллетора (vfrc)100nA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce300 @ 1A, 2V
Мощность макcимальная1.1W
Модуляция частот55MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-23-6
Встречается под наим.ZXT13P12DE6TR
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZXT13P12DE6TCZXT13P12DE6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 12V SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 55MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «ZXT13P12DE6TA» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте