Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
 
MMBTA28-7

- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

MMBTA28-7 — TRANS BIPO NPN DARL 80V SOT23-3

ПроизводительDiodes Inc
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)80V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 100µA, 100mA
Ток коллектора (макс)500mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)500nA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce10000 @ 10mA, 5V
Мощность макcимальная300mW
Модуляция частот125MHz
Тип транзистораNPN - Darlington
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Встречается под наим.MMBTA28DITR
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MMBTA28-7-FMMBTA28-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN DARL 80V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MMBTA28-7» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте