Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
 
MMBT5551-7

MMBT5551-7 — TRANS 160V 350MW NPN SMD SOT23-3

ПроизводительDiodes Inc
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)160V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
Ток коллектора (макс)600mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Мощность макcимальная300mW
Модуляция частот300MHz
Тип транзистораNPN
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Встречается под наим.MMBT5551, MMBT5551-7DITR, MMBT5551DITR, MMBT5551DITR-ND, MMBT5551TR, MMBT5551TR-ND
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MMBT5551-7-FMMBT5551-7-FDiodes IncTRANS NPN 160V 350MW SMD SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MMBT5551-7» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте