Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
 
MJ14002G

- Габаритный чертеж

MJ14002G — TRANS PWR NPN 60A 80V TO3

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)80V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic1V @ 2.5A, 25A
Ток коллектора (макс)60A
Ток отсечки коллетора (vfrc)1mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 50A, 3V
Мощность макcимальная300Вт
Тип транзистораNPN
Тип монтажаChassis Mount
КорпусTO-204, TO-3
Встречается под наим.MJ14002GOS
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MJ14002MJ14002ON SemiconductorTRANS PWR NPN 60A 80V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MJ14002G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте