MJ11028 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MJ11028G	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 50A 60V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MJ11032	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 50A 120V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3		Доп. информация Искать в поставщиках
	MJ11032G	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 50A 120V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MJ11030	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 50A 90V TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3		Доп. информация Искать в поставщиках
	MJ11030G	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 50A 90V TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

MJ11028 — TRANS DARL NPN 50A 60V TO3

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам