Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
FMMT413TD

- Дополнительное фото

FMMT413TD — TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3

ПроизводительDiodes/Zetex
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic150mV @ 1mA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 10V
Мощность макcимальная330mW
Модуляция частот150MHz
Тип транзистораNPN - Avalanche Mode
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
FMMT413TAFMMT413TADiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
FMMT413TCFMMT413TCDiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «FMMT413TD» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте