DRDN010W-7 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN + Zener Diode (Isolated) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	DVR1V8W-7	Diodes Inc	ARRAY NPN TRANS/ZENER DIO SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN + Zener Diode (Isolated) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DVR3V3W-7	Diodes Inc	ARRAY NPN TRANS/ZENER DIO SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN + Zener Diode (Isolated) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DVR2V5W-7	Diodes Inc	ARRAY NPN TRANS/ZENER DIO SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN + Zener Diode (Isolated) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DVR5V0W-7	Diodes Inc	ARRAY NPN TRANS/ZENER DIO SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN + Zener Diode (Isolated) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

DRDN010W-7 — ARRAY NPN TRANS/SW DIODE SOT363

Схожие по характеристикам