BD242B | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BD242CTU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP 100V 3A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BD241BTU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 80V 3A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BD242C	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP 100V 3A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BD242TU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP 45V 3A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BD242ATU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP 60V 3A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BD242B — TRANSISTOR PNP 80V 3A TO-220

Схожие по характеристикам