Войти Регистрация

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BCW 66KH E6327 — TRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23

Производитель	Infineon Technologies
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	45V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Ток коллектора (макс)	800mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100mA, 1V
Мощность макcимальная	500мВт
Модуляция частот	170MHz
Тип транзистора	NPN
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23
Встречается под наим.	SP000271906

Аналогичные по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BCW 66KH B6327	Infineon Technologies	TRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 170MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BCW 66KG E6433	Infineon Technologies	TRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 170MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCW 66KF E6327	Infineon Technologies	TRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 170MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCW 66KG E6327	Infineon Technologies	TRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 170MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCW 66H B6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 330mW · Модуляция частот: 170MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23		Доп. информация Искать в поставщиках
	BCW 66H E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 330mW · Модуляция частот: 170MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23		Доп. информация Искать в поставщиках

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте