Войти Регистрация

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BC857W,135

BC857W,135 — TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	45V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Ток коллектора (макс)	100mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	125 @ 2mA, 5V
Мощность макcимальная	200mW
Модуляция частот	100MHz
Тип транзистора	PNP
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SC-70-3, SOT-323-3
Встречается под наим.	BC857W /T3, BC857W /T3-ND

Аналогичные по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC857AW,135	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC857AW,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC857W,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC857BW,135	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC857BW,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC857CW,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC857CW,135	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC858W,135	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC860BW,135	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC860CW,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC858W,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC860CW,135	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC860BW,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте