BC848B-7-F | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC848A-7-F	Diodes Inc	TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BC848B-7-F — TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3

Схожие по характеристикам