BC807,215 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC807-16,215	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC807-16,235	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC807-25,235	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC807-25,215	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC807-40,235	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCX17,215	NXP Semiconductors	TRANS PNP 500MA 45V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC807-40,215	NXP Semiconductors	TRANS PNP GP 500MA 45V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCX17,235	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BC807,215 — TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам