Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2DB1386Q-13Diodes IncTRANS PNP BIPO 20V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DC2412R-72DC2412R-7Diodes IncTRANS BIPO NPN 50V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DNLS320A-7DNLS320A-7Diodes IncTRANS NPN BIPO 20V 2A SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTA13-7MMBTA13-7Diodes IncTRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC847C-7-FBC847C-7-FDiodes IncTRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DSS4240T-7DSS4240T-7Diodes IncTRANS BIPO NPN 40V 2A SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DXT5401-13DXT5401-13Diodes IncTRANS BIPOLAR PNP SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC857CW-7-FBC857CW-7-FDiodes IncTRANS PNP BIPOLAR 45V SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTA14-7-FMMBTA14-7-FDiodes IncTRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMST3906-7MMST3906-7Diodes IncTRANSISTOR PNP 40V SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DNLS320E-13DNLS320E-13Diodes IncTRANS NPN BIPO 20V 3A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 20mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 6A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DD1664R-132DD1664R-13Diodes IncTRANSISTOR BIPO NPN 32V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMST4401-7-FMMST4401-7-FDiodes IncTRANSISTOR NPN 40V SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DC4617QLP-72DC4617QLP-7Diodes IncTRANS NPN STD BIPO 50V 3-DFN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-DFN
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX68-13DCX68-13Diodes IncTRANSISTOR BIPO NPN 20V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 330MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DNLS350E-13DNLS350E-13Diodes IncTRANS NPN BIPO 50V 3A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCP53-16-13DCP53-16-13Diodes IncTRANS PNP BIPO SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DSS4160V-7Diodes IncTRANS BIPOLAR NPN 60V SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DB1132R-132DB1132R-13Diodes IncTRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 190MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DZT751-13DZT751-13Diodes IncTRANS PNP 60V 3A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DB1424R-132DB1424R-13Diodes IncTRANS PNP MED BIPO 20V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DZT491-13DZT491-13Diodes IncTRANS NPN BIPO 60V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DD2661-132DD2661-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 12V 2A SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DZT851-13DZT851-13Diodes IncTRANS NPN 6A 60V MED PWR SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 130MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMSTA42-7MMSTA42-7Diodes IncTRANSISTOR NPN 300V SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 3456789 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте