Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
KSC2752OSFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 400V 500MA TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA28GMPSA28GON SemiconductorTRANS NPN DARL SS 80V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5401_J61ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 160V 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF423GBF423GON SemiconductorTRANS PNP GP SS 250V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Модуляция частот: 60MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJAF6920ATUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 800V 20A TO-3PF
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 11A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3PF-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N61072N6107ON SemiconductorTRANS PNP PWR GP 7A 70V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 70V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 7A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJP3307DH2TUFJP3307DH2TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NSL12AWT1NSL12AWT1ON SemiconductorTRANS PNP BIPOLAR 12V 3A SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 160mV @ 10mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V  ·  Мощность макcимальная: 450мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSD1589OTUKSD1589OTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 100V 5A TO-220F
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJAF6916TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 800V 16A TO-3PF
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 8.5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3PF-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC39400SA2SC39400SAPanasonic - SSGTRANS NPN 25VCEO 1A TO-92NL
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92NL
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD0662BRPanasonic - SSGTRANS NPN 400VCEO 70MA M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 70mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP142FTUFairchild SemiconductorTRANS DARL NPN 100V 10A TO-3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3P
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC372GBC372GON SemiconductorTRANS SS DARL NPN 100V 1A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJF44H11ON SemiconductorTRANS PWR NPN 10A 80V TO220FP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 36Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP122MicrosemiTRANSISTOR NPN 100V 5AMP TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC487BRL1BC487BRL1ON SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 0.5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC635RL1BC635RL1ON SemiconductorTRANSISTOR NPN GP 45V 1A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FZT604TAFZT604TADiodes/ZetexTRANS NPN DAR 100V 1500MA SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA27RLRAMPSA27RLRAON SemiconductorTRANS NPN DARL SS 60V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE13007MJE13007ON SemiconductorTRANS PWR NPN 8A 400V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Модуляция частот: 14MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD09650RA2SD09650RAPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 750мВт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NSS12600CF8T1GON SemiconductorTRANSISTOR PNP 6A 12V CHIPFET
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 20mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUH150BUH150ON SemiconductorTRANS NPN SW 700V 15A TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 20A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 23MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSW42MPSW42ON SemiconductorTRANS NPN GP BIPO 1W 300V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 352353354355356357358359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте