Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SA1930(Q,M)ToshibaTRANS PNP 180V 2A 2-10R1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 180V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1145-O(TE6,F,M)2SA1145-O(TE6,F,M)ToshibaTRANS PNP 150V 50A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4881(F)ToshibaTRANSISTOR NPN 50V 5A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1204-Y(TE12L,CFToshibaTRANSISTOR PNP 30V 0.8A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5755(TE85L,F)ToshibaTRANSISTOR NPN 10V 2A TSM
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 12mA, 600mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5171(Q,M)ToshibaTRANS NPN 180V 2A 2-10R1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 180V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC1815YTE2FT2SC1815YTE2FTToshibaTRANSISTOR NPN 150MA 50V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92.3, SC-43
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1837(M)ToshibaTRANS PNP -230V -1A 2-10R1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2655-Y(F,M)2SC2655-Y(F,M)ToshibaTRANSISTOR NPN 50V 2A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1451A-O(F)ToshibaTRANS PNP 50V 12A 2-10R1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4793ToshibaTRANS NPN 230V 1A 2-10R1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5810(TE12L,F)ToshibaTRANSISTOR NPN 50V 1A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1015-GR(F,T)ToshibaTRANS PNP 50V 150MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1201-Y(TE12L,CFToshibaTRANSISTOR PNP 120V 0.8A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1943-O2SA1943-OToshibaTRANS PNP -230V -15A 2-21F1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-21F1A (TO-247 L)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1015-O(F,T)ToshibaTRANS PNP 50V 150MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPC6501(TE85L,F)ToshibaTRANS NPN 10V 2A 2-3T1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 12mA, 600mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 2-3T1A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1160-B(TE6,F,M)2SA1160-B(TE6,F,M)ToshibaTRANS PNP 20V 2A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 140MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3328-Y(TE6,F,M)2SC3328-Y(TE6,F,M)ToshibaTRANSISTOR NPN 80V 2A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1425-Y(F)ToshibaTRANSISTOR PNP 120V 0.8A MSTM
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5307(TE12L,F)ToshibaTRANSISTOR NPN 400V 0.05A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3281-O2SC3281-OToshibaTRANS NPN 200V 15A 2-21F1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-21F1A (TO-247 L)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1681(TE12L,F)ToshibaTRANS PNP 50V 2A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1483-Y(F)ToshibaTRANSISTOR PNP 45V 0.2A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5949-O(Q)ToshibaTRANSISTOR NPN 200V 15A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 220Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 352353354355356357358359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте