Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BU807BU807STMicroelectronicsTRANSISTOR DARL NPN TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BU808DFIBU808DFISTMicroelectronicsIC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 400µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 52Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOWATT-218-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5354-1(F)ToshibaTRANSISTOR NPN 800V 5A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3074-O(Q)ToshibaTRANS NPN 50V 5A 2-7B1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 2-21F1A (TO-247 L)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1837(F,M)2SA1837(F,M)ToshibaTRANS PNP -230V -1A 2-10R1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1987-O(Q)ToshibaTRANSISTOR PNP 230V 15A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 180W  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3P(L) (2-21F1B)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1020-Y(TE6,F,M)2SA1020-Y(TE6,F,M)ToshibaTRANS PNP 50V 2A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA2121-O(Q)ToshibaTRANSISTOR PNP 200V 15A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 220Вт  ·  Модуляция частот: 25MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3P(L) (2-21F1B)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1223(TE16L1,NQ)ToshibaTRANSISTOR NPN 80V 4A PW MOLD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PW-Mold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5198-O(Q,T)ToshibaTRANSISTOR NPN 140V 10A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3303-Y(T6L1,NQ)ToshibaTRANSISTOR NPN 80V 5A PW-MOLD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PW-Mold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA2190(Q)ToshibaTRANSISTOR PNP 180V 2A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 180V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC6061(TE85L,F)ToshibaTRANSISTOR NPN 120V 1A TSM
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2525(TP,Q)ToshibaTRANSISTOR NPN 60V 3A TPL
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.8W  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2884-Y(C,F)ToshibaTRANS NPN 30V 800MA SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1409A(F)ToshibaTRANS NPN 400V 6A SC-67
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 4A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SC-67
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5819(TE12L,F)ToshibaTRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA2182(Q)ToshibaTRANS PNP 230V 1A SC-67
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SC-67
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC53542SC5354ToshibaTRANS NPN TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-16C1A (TO-247 N)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1302-O2SA1302-OToshibaTRANS PNP -200V -15A 2-21F1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 25MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-21F1A (TO-247 L)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3303-O(T6L1,NQ)ToshibaTRANSISTOR NPN 80V 5A PW-MOLD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PW-Mold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3075(TE16L1,NQ)ToshibaTRANSISTOR NPN 400V 0.8A PW-MOLD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PW-Mold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1525(F)ToshibaTRANSISTOR NPN 100V 30A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 10MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1941-O(Q,T)ToshibaTRANSISTOR PNP 140V 10A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3P
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5242-O(Q,T)2SC5242-O(Q,T)ToshibaTRANS NPN 230V 15A 2-16C1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 130Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-16C1A (TO-247 N)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 350351352353354355356 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте