Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZXT10P40DE6TAZXT10P40DE6TADiodes/ZetexTRANS SW PNP LO SAT 40V SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 190MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT10P40DE6TCZXT10P40DE6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 40V SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 190MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT11N15DFTAZXT11N15DFTADiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 15V 3A SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT11N15DFTCZXT11N15DFTCDiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 15V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT11N20DFTAZXT11N20DFTADiodes/ZetexTRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 160MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT11N20DFTCZXT11N20DFTCDiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 20V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 160MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13N15DE6TAZXT13N15DE6TADiodes/ZetexTRANS NPN LO SAT 15V 5A SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 72MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13N15DE6TCZXT13N15DE6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR NPN15V SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 72MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13N20DE6TAZXT13N20DE6TADiodes/ZetexTRANS NPN LOSAT 20V 4.5A SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 96MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13N20DE6TCZXT13N20DE6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 20V SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 96MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13N50DE6TAZXT13N50DE6TADiodes/ZetexTRANS NPN LO SAT 50V 4A SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 115MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13N50DE6TCZXT13N50DE6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 50V SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 115MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13P12DE6TAZXT13P12DE6TADiodes/ZetexTRANS PNP LOSAT -12V -4A SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 55MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13P12DE6TCZXT13P12DE6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 12V SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 55MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13P20DE6TAZXT13P20DE6TADiodes/ZetexTRANS PNP LS -20V -3.5A SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 90MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13P20DE6TCZXT13P20DE6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 20V SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 90MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13P40DE6TAZXT13P40DE6TADiodes/ZetexTRANS PNP LOSAT -40V -3A SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 115MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT13P40DE6TCZXT13P40DE6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 40V SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 115MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT14N20DXTAZXT14N20DXTADiodes/ZetexTRANS NPN LO SAT 20V 7A 8-MSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 45mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 7A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT14N50DXTAZXT14N50DXTADiodes/ZetexTRANS NPN LO SAT 50V 6A 8-MSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 185MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT14P12DXTAZXT14P12DXTADiodes/ZetexTRANS PNP LO SAT -12V -6A 8-MSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 110MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT14P20DXTAZXT14P20DXTADiodes/ZetexTRANS PNP LO SAT -20V -5A 8-MSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT14P40DXTAZXT14P40DXTADiodes/ZetexTRANS PNP LO SAT -40V -4A 8-MSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 185MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT1M322TAZXT1M322TADiodes/ZetexTRANS PNP LO SAT 2X2MM 3-MLP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 110MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-MLP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXT2M322TAZXT2M322TADiodes/ZetexTRANS PNP LO SAT 2X2MM 3-MLP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-MLP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 350351352353354355356 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте