Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BUB323ZON SemiconductorTRANS DARL NPN 10A 350V D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 70mA, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP115TIP115ON SemiconductorTRANS DARL PNP 2A 60V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBT2222LT3MMBT2222LT3ON SemiconductorTRANS NPN GP 30V 600MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF393BF393ON SemiconductorTRANS NPN GP 300V 500MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCX5216TADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP -60V SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC859CLT1GBC859CLT1GON SemiconductorTRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUR51BUR51STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 300V 60A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5A, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 350Вт  ·  Модуляция частот: 16MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJP3835TUFJP3835TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 120V 8A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MSD42SWT1ON SemiconductorTRANS SS GP NPN 300V SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 200mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF420,116BF420,116NXP SemiconductorsTRANS NPN 300V 50MA SOT54
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Модуляция частот: 60MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC327-16,112BC327-16,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC857CWT1ON SemiconductorTRANS PNP GP 45V 100MA SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCP52-16BCP52-16STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP LP SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZX5T849ZTADiodes/ZetexTRANSISTOR 6A 30V SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 45mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 140MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NJL21193DGON SemiconductorTRANS THERMALTRK PNP 200W TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC556BZL1BC556BZL1ON SemiconductorTRANS AMP PNP 65V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC858ALT1BC858ALT1ON SemiconductorTRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMTA63TAFMMTA63TADiodes/ZetexTRANS DARL PNP 30V 500MA SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC817-40BC817-40STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 50V 0.5A SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMT2222ATAFMMT2222ATADiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC838COBUKSC838COBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 30MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 12V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTA13LT1MMBTA13LT1ON SemiconductorTRANS SS DARL NPN 30V SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FSB660FSB660Fairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 60V 2A SSOT-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-SSOT, SuperSOT-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSD288WKSD288WFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 55V 3A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUD42DT4BUD42DT4ON SemiconductorTRANS NPN BIPOLAR 2A 350V DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 349350351352353354355 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте