Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZTX949STZZTX949STZDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1.58W  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX549STOBZTX549STOBDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX749STOBZTX749STOBDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 160MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX758STZZTX758STZDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX776STOBZTX776STOBDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZUMT717TCZUMT717TCDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP PWR SW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 250mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 385mW  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZUMT718TCZUMT718TCDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP PWR SW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 10mA, 250mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 385mW  ·  Модуляция частот: 210MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZUMT720TCZUMT720TCDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP PWR SW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 20mA, 250mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 385mW  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD140BD140STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 12.5W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SO692SO692STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP SS SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 310mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBT3640MMBT3640Fairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP SW 12V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 500MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMST4403-TPMMST4403-TPMicro Commercial CoTRANSISTOR PNP SW 40V SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMST2907A-TPMMST2907A-TPMicro Commercial CoTRANSISTOR PNP SW 60V SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SMBT 3906 E6767Infineon TechnologiesTRANSISTOR PNP SW SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS751MPS751Fairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX749STOAZTX749STOADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 160MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FCX789ATAFCX789ATADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP-25V -3000MA SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FCX790ATAFCX790ATADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP-40V -2000MA SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STD724T4STD724T4STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST2408HIST2408HISTMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN ISOWATT218
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 55Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOWATT-218-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD235BD235STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BULT118BULT118STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 45Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD237BD237STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUX87BUX87STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Модуляция частот: 20MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL213BUL213STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 349350351352353354355 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте