Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TIP145TIP145STMicroelectronicsTRANS PNP DARL 60V 10A TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STBV45GSTMicroelectronicsTRANS NPN 400V FAST SW TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 135mA, 400mA  ·  Ток коллектора (макс): 7mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 500µA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 950mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STA21212STA2121STMicroelectronicsTRANS PNP 250V 17A BIT-LA TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 34A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 220Вт  ·  Модуляция частот: 25MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ802MJ802STMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN SILCN TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP41CTIP41CSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 100V 6A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600µA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBT2907AMMBT2907ASTMicroelectronicsTRANSISTOR PNP -60V -0.6A SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJD32CMJD32CSTMicroelectronicsTRANSISTOR PWR COMPL D-PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE802MJE802STMicroelectronicsTRANS DARL NPN 80V 4A SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 4A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N63882N6388STMicroelectronicsTRANS DARL NPN 80V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL128-KSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN FAST HV TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP36CWTIP36CWSTMicroelectronicsTRANSISTOR PNP 100V 25A TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BULT106DBULT106DSTMicroelectronicsTRANS NPN FAST HV SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 32Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STSA1805-APSTSA1805-APSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 60V 3A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STF1550STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 50V 5A SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STL13602STL1360STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN LV FAST SW TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Модуляция частот: 130MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUW48BUW48STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2A, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 8MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N2369A2N2369ASTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 15V .2A TO-18
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 360mW  ·  Модуляция частот: 675MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N17112N1711STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 75V 500MA TO-39
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUV20BUV20STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN HI CURR TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5A, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 25A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Модуляция частот: 8MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJD127T4MJD127T4STMicroelectronicsTRANS DARL PNP 100V 8A DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
HD1530FXSTMicroelectronicsTRANS PWR NPN 700V ISOWATT218FX
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 3.25A, 13A  ·  Ток коллектора (макс): 26A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOWATT218FX
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL213BUL213STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST631KST631KSTMicroelectronicsIC TRANS PNP LOW VOLT SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 12.5W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST8812FPST8812FPSTMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-220FP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 7A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40.5 @ 5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 36Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STC44682STC4468STMicroelectronicsTRANS NPN HP BIPO 140V TO-3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Модуляция частот: 20MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 348349350351352353354 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте