Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BD535BD535STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STX117-APSTX117-APSTMicroelectronicsTRANS PNP BIPO 100V 2A GP TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STPSA42STPSA42STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 300V 0.5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSS44BSS44STMicroelectronicsIC TRANSISTOR PNP TO-39
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 5Вт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STLD128DNT4STLD128DNT4STMicroelectronicsTRANS PWR NPN FAST HV DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD536BD536STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER PNP TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STX112-APSTX112-APSTMicroelectronicsTRANSISTOR DARL NPN TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP122FPTIP122FPSTMicroelectronicsTRANSISTOR DARL COMPL TO-220FP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 29Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STN2550STMicroelectronicsIC TRANS PNP 50V 5A SOT 223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP31CTIP31CSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 100V 3A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BULT118MSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN FAST HV SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 45Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCY59XBCY59XSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN SS TO-18
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 390mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STD878T4STD878T4STMicroelectronicsTRANS BIPO NPN 30V 5A DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB7722SB772STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP MED PWR SOT32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 12.5W  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP137TIP137STMicroelectronicsTRANSISTOR DARL COMPL TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUTW92BUTW92STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15A, 60A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 60A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 180W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL742ABUL742ASTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 400V 4A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 800mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP42CTIP42CSTMicroelectronicsTRANSISTOR PNP 100V 6A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600µA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP35CTIP35CSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 100V 25A TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ3001MJ3001STMicroelectronicsTRANS DARL NPN 80V 10A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD678ABD678ASTMicroelectronicsTRANSISTOR DARL PNP SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N30552N3055STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 60V 15A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 115W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD244CBD244CSTMicroelectronicsTRANSISTOR POWER PNP TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 400µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MD2103DFXSTMicroelectronicsTRANS NPN 700V CRT TO-220FP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 17 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 52Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOWATT218FX
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBT3904MMBT3904STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 347348349350351352353 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте