2N3904G | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2N3904RLRAG	ON Semiconductor	TRANS NPN GP 200MA 40V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2N3904RLRM	ON Semiconductor	TRANS SS NPN GP 40V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2N3904RLRMG	ON Semiconductor	TRANS SS NPN GP 40V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2N3904ZL1G	ON Semiconductor	TRANS SS NPN GP 40V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2N3904RLRPG	ON Semiconductor	TRANS SS NPN GP 40V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2N3904RLRA	ON Semiconductor	TRANS NPN GP 200MA 40V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2N3904RL1	ON Semiconductor	TRANS SS NPN GP 40V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

2N3904RLRM

ON Semiconductor

TRANS SS NPN GP 40V 200MA TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

2N3904ZL1G

ON Semiconductor

TRANS SS NPN GP 40V 200MA TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

2N3904RLRA

ON Semiconductor

TRANS NPN GP 200MA 40V TO92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2N3904G — TRANS SS NPN GP 40V 200MA TO-92

Аналогичные по характеристикам