2N3055G | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Модуляция частот: 6MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Модуляция частот: 6MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Модуляция частот: 2.5MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2N3055A	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 60V 15A BIPO TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Модуляция частот: 6MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2N3055H	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 60V 15A BIPO TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3		Доп. информация Искать в поставщиках
	2N3055	ON Semiconductor	TRANS NPN 15A 60V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2N3055HG	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 60V 15A BIPO TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2N3055AG	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 60V 15A BIPO TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Модуляция частот: 6MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MJ2955G	ON Semiconductor	TRANS PNP 15A 60V TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 115W · Модуляция частот: 2.5MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2N3055G — TRANS NPN 15A 60V TO3

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам