Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель	Diodes Inc
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	50V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
Ток коллектора (макс)	100mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Мощность макcимальная	250mW
Модуляция частот	100MHz
Тип транзистора	NPN
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	3-DFN
Встречается под наим.	2DC4617QLPDIDKR

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов