2DC4617Q-7-F | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2DC4617Q-7	Diodes Inc	TRANS BIPOLAR 50V NPN SOT-523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2DC4617R-7-F	Diodes Inc	TRANS BIPOLAR NPN 50V SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2DC4617S-7	Diodes Inc	TRANS BIPOLAR 50V NPN SOT-523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2DC4617S-7-F	Diodes Inc	TRANS BIPOLAR NPN 50V SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2DC4617R-7	Diodes Inc	TRANS BIPOLAR 50V NPN SOT-523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2DC4617Q-7-F — TRANS BIPOLAR NPN 50V SOT523

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам