Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZTX415ZTX415Diodes/ZetexTRANS NPN AVAL 260V 100MA TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 680mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUV22GBUV22GON SemiconductorTRANS NPN 250V 40A BIPO TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 40A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Модуляция частот: 8MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUV21BUV21ON SemiconductorTRANS NPN 200V 40A BIPO TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.2A, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 40A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Модуляция частот: 8MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUV21GBUV21GON SemiconductorTRANS NPN 200V 40A BIPO TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.2A, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 40A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Модуляция частот: 8MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ14002GMJ14002GON SemiconductorTRANS PWR NPN 60A 80V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUX98ABUX98ASTMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3.2A, 16A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMT415TAFMMT415TADiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5686G2N5686GON SemiconductorTRANS NPN PWR GP 50A 80V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N50382N5038ON SemiconductorTRANS NPN PWR 20A 90V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 140Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ11033MJ11033ON SemiconductorTRANS DARL PNP 50A 120V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX415STOBZTX415STOBDiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 680mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX415STZZTX415STZDiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 680mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX415STOAZTX415STOADiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 680mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUT70WBUT70WSTMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 7A, 70A  ·  Ток коллектора (макс): 40A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ11030GMJ11030GON SemiconductorTRANS DARL NPN 50A 90V TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ11028MJ11028ON SemiconductorTRANS DARL NPN 50A 60V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMT413TDFMMT413TDDiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMT417TCFMMT417TCDiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUX98APWBUX98APWSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 450V 24A TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.2A, 16A  ·  Ток коллектора (макс): 24A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ11033GMJ11033GON SemiconductorTRANS DARL PNP 50A 120V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 250mA, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NJL4302DGON SemiconductorTRANS THERMTRK PNP 230W TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 230W  ·  Модуляция частот: 35MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUF420MBUF420MSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN SW 450V 30A TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Мощность макcимальная: 275Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5038G2N5038GON SemiconductorTRANS NPN PWR 20A 90V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 140Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
HD1760JLSTMicroelectronicsTRANS NPN 800V HI DEF/CRT TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 4.5A, 18A  ·  Ток коллектора (макс): 36A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMT415TCFMMT415TCDiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте