Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
DSS4320T-7DSS4320T-7Diodes IncTRANS BIPO NPN 20V 2A SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 3A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DSS20201L-7DSS20201L-7Diodes IncTRANS BIPO NPN 20V 2A SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DXT3150-13DXT3150-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 25V 5A SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC848B-7-FBC848B-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 330 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC848C-7-FBC848C-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC848A-7-FBC848A-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC847BLD-7BC847BLD-7Diodes IncTRANS BIPO NPN 300MW 45V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC847A-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 300MW 45V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC847B-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 300MW 45V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC846A-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 300MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DD2656-72DD2656-7Diodes IncTRANS BIPO NPN 30V 1A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STD878T4STD878T4STMicroelectronicsTRANS BIPO NPN 30V 5A DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DD1766P-132DD1766P-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 32V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DD1664P-132DD1664P-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 32V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DD1664Q-132DD1664Q-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 32V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DSS4240T-7DSS4240T-7Diodes IncTRANS BIPO NPN 40V 2A SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DSS4540X-13DSS4540X-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 40V 4A SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 355mV @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DC4672-132DC4672-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 50V 3A SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DC2412R-72DC2412R-7Diodes IncTRANS BIPO NPN 50V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STN1802STN1802STMicroelectronicsTRANS BIPO NPN 60V 3A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DSS60601MZ4-13DSS60601MZ4-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 60V 6A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP100GTIP100GON SemiconductorTRANS BIPO NPN 8A 60V TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 6mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP100TIP100ON SemiconductorTRANS BIPO NPN 8A 60V TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 6mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP101GTIP101GON SemiconductorTRANS BIPO NPN 8A 80V TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 6mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP101TIP101ON SemiconductorTRANS BIPO NPN 8A 80V TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 6mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 78910111213 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте