Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)
 
UNR212400L

- Габаритный чертеж

UNR212400L — TRANS PNP W/RES 60 HFE MINI-3

ПроизводительPanasonic - SSG
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)2.2K
Сопротивление эмитер - база (Ом)10K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 100mA
Ток коллектора (макс)500mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)1µA
Модуляция частот200MHz
Мощность макcимальная200mW
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусMini 3P
Встречается под наим.UNR212400LTR
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
UNR212300LUNR212300LPanasonic - SSGTRANS PNP W/RES 60 HFE MINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini 3P
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «UNR212400L» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте