Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3